TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀概述：

TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀

TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀是我公司吸收國(guó)內(nèi)外同類儀器的優(yōu)點(diǎn)，精心設(shè)計(jì)研制而成的一款能全自動(dòng)測(cè)試介質(zhì)損耗（tgδ）和電容量（Cx）的智能化儀器。TE8000*采用第四代抗干擾技術(shù)-全自動(dòng)反干擾源法，能夠在500KV及以下變電站等干擾強(qiáng)烈的場(chǎng)合準(zhǔn)確測(cè)量，*《DLT962-2005高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀通用技術(shù)條件》的相關(guān)要求。本廣泛適用于變壓器、互感器、高壓套管、電力電纜、電容器等電氣設(shè)備及絕緣材料的介質(zhì)損耗及電容量的測(cè)試，用以鑒別因污穢、破裂、穿孔、老化、受潮引起的絕緣缺陷。

產(chǎn)品特性

TE8000

(1) 反干擾源：儀器先測(cè)量干擾電流的幅值和相位，然后在內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)幅值相等、相位相反的反干擾信號(hào)來抵消干擾電流，從而有效消除現(xiàn)場(chǎng)干擾對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的影響。實(shí)踐使用證明，該方法抗干擾效果優(yōu)于“倒相法”、“移相法”和“變頻法”。

(2) 整體屏蔽：采用雙層整體屏蔽機(jī)箱，能有效阻擋外界電磁干擾。采用高壓屏蔽軟電纜，可直接引至試品，測(cè)試安全方便，并有效消除了對(duì)地雜散電容的影響。

(3) 使用方便：可自由選擇輸出高壓，啟動(dòng)后全自動(dòng)升壓測(cè)試。采用中文菜單操作，測(cè)量電容值、介損值等顯示結(jié)果直觀。內(nèi)置的前換紙打印機(jī)能以中文模式打印記錄數(shù)據(jù)，換紙更加方便。

(4) 技術(shù)先進(jìn)：全數(shù)字化，內(nèi)建精密數(shù)學(xué)模型。

(5) 精度高：具有較高的分辨率和精度，測(cè)試結(jié)果重復(fù)性好，配上標(biāo)準(zhǔn)油杯后，可測(cè)量絕緣油的介質(zhì)損耗因素。

(6) 通訊接口：留有“通訊接口”，其中包括RS232計(jì)算機(jī)接口方便地與筆記本電腦連接，進(jìn)行數(shù)據(jù)處理；和“JTAG在線編程接口”，可由筆記本電腦對(duì)儀器進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)在線編程，可對(duì)儀器不拆機(jī)進(jìn)行升級(jí)處理；使用時(shí)，必須配用接線座和軟件，本儀器不提供此配件。

(7) 數(shù)據(jù)記錄：儀器能記錄100組測(cè)試數(shù)據(jù)，以測(cè)試日期、時(shí)間的形式存儲(chǔ)，日后可調(diào)用查看或打印，有利于歷史數(shù)據(jù)的縱向比較和歷史臺(tái)帳的建立。

(8) 攜帶方便：采用一體化結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)合理，體積只有同類產(chǎn)品的1/2～2/3，攜帶十分方便。

技術(shù)參數(shù)

使用電源  本儀器使用220（1±10%）V，50（1±2%）Hz電源

使用環(huán)境  環(huán)境溫度：-10℃～40℃   相對(duì)濕度：≤80%

外形尺寸  長(zhǎng)400mm*寬330mm*高395mm

質(zhì)量  20Kg

測(cè)試工作方式  正接法  反接法  抗干擾正接法  抗干擾反接法

輸出功率  內(nèi)部高壓zui大容量：1.5KVA

 輸出zui大電流：150mA

安全性能  絕緣電阻：電源對(duì)地≥2MΩ，高壓輸出對(duì)地≥50MΩ

 交流耐壓：電源對(duì)地1500v耐壓1min，高壓輸出對(duì)地15KV耐壓1min，無飛弧和擊穿

抗干擾性能  | 干擾 /  | 試品 ＜2，磁場(chǎng)干擾＜5高斯下滿足測(cè)試精度要求。

電容測(cè)量范圍  10KV： 0～40000pF    

 ＜5KV: 0～0.1μF

電容zui小分辨率  0.001pF

電容精度  正接 ±（2%讀數(shù)+2pF）

 反接 ±（2%讀數(shù)+10pF）

電壓輸出  范圍：1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV、5KV、7.5KV、10KV

 失真度：＜2%THD（10KV下線性負(fù)載）

 精度：±（1%讀數(shù)+10V）

介損測(cè)量范圍  0～50%

介損測(cè)量精度

測(cè)試內(nèi)容 電容量范圍（Cx） 試品類型 基本誤差

介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ 200pF～40000pF 非接地 ±（2%讀數(shù)+0.0005）

接地 ±（2%讀數(shù)+0.0010）

10pF～200pF或40000pF以上 非接地 ±（2%讀數(shù)+0.0010）

接地 ±（2%讀數(shù)+0.0020）

3pF～10pF 非接地與接地